机译:具有不同Al摩尔分数的石墨烯/ AlGaN / GaN异质结构中的电流传输机制
机译:$ hbox {SiN} _ {x} $钝化应力变化的不同Al摩尔分数的AlGaN / GaN异质结构的输运研究
机译:AlGaN / GaN异质结构钨碳化碳肖特基触点的前进和反向电流运输机制
机译:AlGaN / GaN异质结构中的低频噪声参数,具有33%和75%的Al Mole分数
机译:处理表面状态的传输拐点和电荷陷阱对AlGaN / GaN HFET漏极电流的影响。
机译:石墨烯作为肖氏屏障接触到AlGaN / GaN异质结构
机译:AlGaN / GaN异质结构钨碳化碳化碳化碳肖特基触点的前进和反向电流运输机制